电路中MOS管损坏问题
发布网友
发布时间：2022-04-20 06:33
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热心网友
时间：2023-06-22 21:23
你好：
——★1、MOS管属于电压控制器件，它的输入阻抗非常高，很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。
——★2、请看附图。......图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电*、消除。因为MOS管属于电压控制器件，100K电阻不影响MOS管的开关状态。
追问确实是栅源电压过大导致的MOS管损坏，不过不是静电而是信号电压……加上5V稳压管就没问题了。那个出现漏电流的问题发现是由于测试地与电源地接触不良引起的误判。看来我买到的管子不是原装的，原装规格书上写的耐压不止这个值。
追答。
热心网友
时间：2023-06-22 21:24
很简单。
2，体积小，MOS输入阻抗，低噪音，低功耗，易于集成。问题的关键是，这些性能比晶体管三极管的管损过大，效率低下。
3，虚，虚短虚断是指类似虚拟地看看后面的话是不实际的接地性能类似地，虚短是不是短路表面上，但性能类似短路，虚拟网球公开赛实际上并不开路，但性能是类似的断开。虚短虚断的运算放大器电路的条件下，运算放大器的线性区，分析，看是否引入电压负反馈运算放大器，电压负反馈的线性区域。
4，微变等效电路是低频率的晶体管特性的模型研究动态的，具体的，复杂的，大量的微分方程，百度是不可能说清楚的，试图读取。
使用此模型中，放大器电路的动态参数，可以进行分析，如动态电阻RBE输入电阻输出电阻，放大倍率，等。
热心网友
时间：2023-06-22 21:24
这种驱动方式没有问题，问题出在Switch信号始终为0，Switch信号必须要有一个电压令S8050导通，Q2才导通的，判断Q2的好坏，将S8050的发射极和集电极短路，Q2导通，Q2管就是好的，应该问题出在Switch的控制线路上。这个线路，Switch有电压Q2才导通，Switch没有电压Q2截止。
热心网友
时间：2023-06-22 21:25
你的MOS管接法是正确的，P管的S应该接高电平，N管的S应该接低电平。
你可以把上面的R1换一个8550试一试。两个三极管的基极接一起，然后接到方波信号上去。
热心网友
时间：2023-06-22 21:26
把R1断开就好了，自给偏压,你试一下看看，如果不行就去查些书籍上的MOS开关电路
