专利名称：场效应晶体管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：梅田英和,引田正洋,上田哲三申请号：CN201080005230.7申请日：20100118公开号：CN102292801A公开日：20111221
摘要：一种场效应晶体管，具备在衬底上形成的第1半导体层(103、104)与第2半导体层(105)，第1半导体层具有含有非导电型杂质的作为元件分离区域而设置的含有区域、与不含有该非导电型杂质的非含有区域，所述第1半导体层是含有区域和所述非含有区域的界面中包含所述栅极电极下方的界面部分在内的该界面部分附近的区域，并且是比该界面部分靠近所述含有区域侧的区域，所述第2半导体层包含位于第1区域紧上方的第2区域，第2区域的所述非导电型杂质的浓度比所述第1区域的所述非导电型杂质的浓度低。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：徐殿军
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