专利名称：一种场效应晶体管及制作方法专利类型：发明专利发明人：马万里
申请号：CN201610035664.0申请日：20160119公开号：CN106981515A公开日：20170725
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管，包括第一结构，所述第一结构包括衬底，在所述衬底上形成有间隔分布的多个场区氧化层，所述多个场区氧化层的间隔区域形成有栅极氧化层，所述栅极氧化层靠近衬底方向形成有源漏区，所述场区氧化层的部分区域覆盖有多晶硅层，在所述衬底上还形成有间隔分布的阱区；其中，所述阱区与所述场区氧化层部分接触，所述源漏区位于所述阱区内部，所述阱区与所述多晶硅层的部分区域相对设置。本发明还提供了一种场效应晶体管的制作方法。本发明通过多晶硅层部分覆盖场区氧化层，并在源漏区外围制作出与所述多晶硅层部分相对设置的阱区，从而使得在测试场管的阈值电压时，不会造成栅极氧化层的击穿，从而使得测试结果准确可靠。
申请人：北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
地址：100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦
国籍：CN
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
代理人：李相雨
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