专利名称：场效应晶体管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：平野浩一,小松慎五,齐藤恭辉,池直树申请号：CN201180010336.0申请日：20111219公开号：CN102763222A公开日：20121031
摘要：本发明利用简易的工艺来实现薄膜晶体管中的金属氧化物膜的形成。在具有栅电极、源电极、漏电极、沟道层及栅绝缘层的场效应晶体管的制造方法中，使用如下的含有金属盐的组合物来进行所述沟道层的形成，即，包含：金属盐、具有-C(COOH)＝C(COOH)-顺式结构的多元羧酸、有机溶剂、以及水，多元羧酸相对于金属盐的摩尔比为0.5以上4.0以下。
申请人：松下电器产业株式会社,第一工业制药株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汪惠民
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