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EMI滤波器电路原理及设计

2023-08-24 来源:品趣旅游知识分享网
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EMI滤波器电路原理及设计

引言

开关电源以其体积小、重量轻、效率高等优点被广泛应用于电力电子设备系统中,但是开关电源易受到电磁干扰,产生误动作,且本身的高频信号也会引起大量的噪声,会污染电网环境,干扰同一电网其他电子设备的正常工作。这样就对EMC提出了更高的要求指标。 分类:

开关电源中的电磁干扰(EMI)主要有传导干扰和辐射干扰。通过正确的屏蔽和接地系统设计可以得到有效的控制,对于传导干扰来说,加装EMI滤波器,是一种比较经济有效的措施,辐射干扰的抑制可以通过加装变压器屏蔽铜片。 EMI滤波器介绍

开关电源与交流电网相连,尽管开关电源是一个单端口网络,但具有相线(L),零线(N),地线(E)的开关电源实际上形成了两个AC端口,所以噪声源在实际分析中可以将其分解为共模和差模噪声源。火线(L)与零线(N)之间的干扰叫做差模干扰(属于对称性干扰),火线(L)与地线(E)之间的干扰叫做共模干扰(非对称性干扰)。在一般情况下,差模干扰幅度小、频率低、所造成的干扰较小;共模干扰幅度大、频率高,还可以通过导线产生辐射,所造成的干扰较大。

开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等,外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。 1.开关电源的EMI干扰源

开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等,外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。 (1)功率开关管

功率开关管工作在On-Off快速循环转换的状态,dv/dt和di/dt都在急剧变换,因此,功率开关管既是电场耦合的主要干扰源,也是磁场耦合的主要干扰源。 (2)高频变压器

高频变压器的EMI来源集中体现在漏感对应的di/dt快速循环变换,因此高频变压器是磁场耦合的重要干扰源。 (3)整流二极管

整流二极管的EMI来源集中体现在反向恢复特性上,反向恢复电流的断续点会在电感(引线电感、杂散电感等)产生高 dv/dt,从而导致强电磁干扰。 (4)PCB

准确的说,PCB是上述干扰源的耦合通道,PCB的优劣,直接对应着对上 述EMI源抑制的好坏。

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2.开关电源EMI传输通道分类 (一)。 传导干扰的传输通道 (1)容性耦合 (2)感性耦合 (3)电阻耦合

a.公共电源内阻产生的电阻传导耦合 b.公共地线阻抗产生的 电阻传导耦合 c.公共线路阻抗产生的电阻传导耦合 (二)。 辐射干扰的传输通道

(1)在开关 电源中,能构成辐射干扰源的元器件和导线均可以被假设为天线,从而利用电偶极子和磁偶极子理论进行分析;二极管、电容、功率开关管可以假设为电偶极子,电 感线圈可以假设为磁偶极子;

(2)没有屏蔽体时,电偶极子、磁偶极子,产生的电磁波传输通道为空气(可以假设为自由空间);

(3)有屏蔽体时,考虑屏蔽体的缝隙和孔洞,按照泄漏场的数学模型进行分析处理。 3.开关电源EMI抑制的9大措施

在开关电源中,电压和电流的突变,即高dv/dt和di/dt,是其EMI产生的主要原因。实现开关电源的EMC设计技术措施主要基于以下两点:

(1)尽量减小电源本身所产生的干扰源,利用抑制干扰的方法或产生干扰较小的元器件和电路,并进行合理布局;

(2)通过接地、滤波、屏蔽 等技术抑制电源的EMI以及提高电源的EMS。 分开来讲,9大措施分别是:

(1)减小dv/dt和di/dt(降 低其峰值、减缓其斜率) (2)压敏电阻的合理应用,以降低浪涌电压 (3)阻尼网络抑制过冲

(4)采用软恢复特 性的二极管,以降低高频段EMI

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(5)有源功率因数校正,以及其他谐波校正技术 (6)采用合理设计的电源线滤波器 (7)合理的接地处理 (8)有效的屏蔽措施 (9)合理的PCB设计 4.高频变压器漏感的控制

高频变压器的漏感是功率开关管关断尖峰电压产生的重要原因之一,因此,控制漏感成为解决高频变压器带来的EMI首要面对的问题。

减小高频变压器漏感两个切入点:电气设计、工艺设计!

(1)选择合适磁芯,降低漏感。漏感与原边匝数平方成正比,减小匝数会显著降低漏感。(漏感就是将所有次级绕组和所有辅助绕组短路,测的得原边电感值。)

(2)减小绕组间的绝缘层。现在有一种称之为“黄金薄膜”的绝缘层,厚度20~100um,脉冲击穿电压可达几千伏。

(3)增加绕组间耦合度,减小漏感。(层叠绕制、混合绕制 这个问题可以询问变压器制造商)

5.高频变压器的屏蔽

为防止高频变压器的漏磁对周围电路产生干扰,可采用屏 蔽带来屏蔽高频变压器的漏磁场。屏蔽带一般由铜箔制作,绕在变压器外部一周,并进行接地,屏蔽带相对于漏磁场来说是一个短路环,从而抑制漏磁场更大范围的 泄漏。

高频变压器,磁心之间和绕组之间会发生相对位移,从而导致高频变压器在工作中产生噪声(啸叫、振动)。为防止该噪声,需要对变 压器采取加固措施:

(1)用环氧树脂将磁心(例如EE、EI磁心)的三个接触面进行粘接,抑制相对位移的产生;

(2)用“玻璃珠”(Glass beads)胶合剂粘结磁心,效果更好。

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EMI滤波器对于干扰噪声的抑制能力用插入损耗IL(Insertion Loss)来衡量。定义:没有滤波器接入时,从噪声源传输到负载的功率P1和接入滤波器后,噪声源传输到负载的功率P2之比,用dB(分贝)表示。

常见的EMI电路结构

AC_LL1CY1RCX1L1AC_NCX2CY2L2CX3L2 图 1 AC_LL1

CX2CX1

L1 AC_N

L1AC_LCY1CY2RCX1AC_NL1CX2 电容、电感的选取原则

一般的EMI滤波器中有两组电容,即跨接在电源线之间起差模抑制作用的X电容和接在电源线和地之间起共模抑制作用的Y电容。对于X电容其额定电压应和电网电压相当,其容量可以选的大一些,典型值0.05uF~1uF。对于Y电容取值允许的情况下越大越好,但如果Y电容时效会导致人员电击,所以对其最大漏电电流Ig有限制,Ig的大小由产品规定,一般为0.5~8mA。Y电容的最大容量可用公式计算

Um 电网电压 V Fm 电网频率 Hz Ig 漏电电流 Ma

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(Nf)

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另外,为了获得较好的高频特性、降低高频等效串联电阻和等效串联电感,X电容和Y电容通常都是通过几个较小的电容并联来满足其容量要求。

AC_LL1 CY1CY3

CX1 CY2CY4L1AC_N

对于滤波器中的共模或差模扼流圈一般情况下要自己动手设计。电感的取值和材料的选取原则:1、磁芯材料的频率范围要宽,要保证最高频率在1GHz,即在很宽的频率范围内有比较稳定的磁导率。2、磁导率高,但实际中很难满足这一要求,所以。磁导率往往分段考虑。磁芯材料一般为铁氧体。共模的在1.5Mh~5mH,差模的在10~50uH。

设计实例一

电源系统频率在50kHz,要求宽电压输入85V~265V,其在截至频率时衰减到-24Db.CX1=0.1uF 求算电感的值: -24=40lg(Fc/Fosc) 计算Fc=12.764K

L11.556mH1.6mH 2C2FCAC_LL1ID1.13R0.3mm 取漆包线的电流

4密度4~6A /mm2

AC_NCX1取IR=

2Po(max)=395mA

PFVin(min)使用0.3mm的线绕满工字形电感,容量>1.6mH

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