专利名称：低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：王敏全,彭逸轩,翁得期,王亮棠,黄志仁申请号：CN200610098711.2申请日：20060706公开号：CN101064256A公开日：20071031
摘要：本发明揭示一种用于制造薄膜晶体管(“TFT”)装置之方法，其包括：提供基板；在该基板上形成图案化第一金属层；在该图案化第一金属层上方形成绝缘层；在该绝缘层上方形成非晶硅层；在该非晶硅层上方形成第一多晶硅层；在该第一多晶硅层上方形成第二多晶硅层；对该第二多晶硅层加以掺杂以形成掺杂多晶硅层；图案化上述这些非晶硅层、第一多晶硅层及掺杂多晶硅层以形成该TFT装置之作用区域层；及在该作用区域层上方形成图案化第二金属层。
申请人：财团法人工业技术研究院
地址：台湾省新竹县竹东镇中兴路4段195号
国籍：CN
代理机构：北京连和连知识产权代理有限公司
代理人：王光辉
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