电力电子半导体器件(GTO)
第六章可关断晶闸管（GTO）特点：是SCR的一种派生器件；具有SCR的全部优点，耐压高、
电流大、耐浪涌能力强，造价便宜；为全控型器件，工作频率
高，控制功率小，线路简单，使用方便。§6.1 GTO结构及工作原理Gate Turn-off Thyristor——GTO
一、结构：四层PNPN结构，三端器件；
特点：
①α1<
α212P1N1P2管不灵敏，
N1P2N2管灵敏。
②α1+
α2略大于1；器件
工作于临界饱和状态，
使关断成为可能。
③多元集成结构，由数
百个小GTO元
元元
元并联形成。由于GTO的多元结构，开通和关断过程与SCR不同，同时GTO
元的特性又不同于整个GTO器件的特性，多元集成使GTO的开关
过程产生了一系列新的问题。
二、GTO开通原理：
与SCR一样，由正反馈控制过程来实现。
其中：
开通条件：α1+
α2 > 1
定义：α1+
α2 = 1时，对应的阳极电流为临界导通电流。
——擎住电流由于α1、α2随射极电流增大而上升，当阳极电流未达到擎
住电流时，α1+
α2<1，此时去掉门极电流IG，阳极电流也会消
失，管子不能维持导通。
注意：
①GTO多元集成结构，各GTO元特
性存在差异，开通过程中个别GTO
元的损坏，将引起整个GTO损坏。
要求GTO制作工艺严格，GTO元特要求GTO制作工艺严格，GTO元特
性一致性好。
②dv/dt、Tj、光照等因素会引起GTO误触发，应用中加以防止。
③驱动电路正向门极触发电流脉冲上升沿越陡，GTO元阳极电
流滞后时间越短，可加速GTO元阳极导电面积扩展，缩短开通
时间。三、GTO关断原理：如图关断等效电路
关断过程分为三个阶段：
存储时间阶段：ts下降阶段：
tf尾部阶段：tt①存储时间阶段：ts用门极负脉冲电压抽出P2基区的存储电荷阶段。
②下降阶段：tfIG变化到最大值－
IGM时，P1N1P2晶体管退出饱和，N1P2N2晶体管恢复控制能力，α1、α2不断减小，内部正反馈停止。
阳极电流开始下降，电压上升，关断损耗较大。尤其在感性
负载条件下，阳极电压、电流可能同时出现最大值，此时关负载条件下，阳极电压、电流可能同时出现最大值，此时关
断损耗尤为突出。
关断条件：α1+
α2<1ATOGMII2
211
)(
α
αα?
+
>?被关断的最大阳极电流电流关断增益：GM
ATO
offI
I
=
β一般：3~8③尾部阶段：tt此时，VAK上升，如果dv/dt较大，可能有位移电流通过P2N1结，引起等效晶体管的正反馈过程，严重会造成GTO再次导通，
轻则出现iA的增大过程。
如果能使门极驱动负脉冲电压幅值缓慢衰减，门极保持适当
负电压，可缩短尾部时间。
四、GTO的失效原理：四、GTO的失效原理：
GTO失效是由于某一GTO元过电流
损
坏引起。一般，容易导通的GTO，难于
关断；难导通的，则易关断。
大容量GTO防止失效，则工艺要求严格，
如大面积扩散工艺，提高少子寿命的均
匀性。目前：6000A/6000V水平。五、GTO类型：
逆阻GTO：可承受正反向电压，但正向导通压降高，快速性
能差。
阳极短路GTO：无反压GTO，不能承受反向电压，但正向导
通压降低，快速性能好，热稳定性好。
其他类型GTO：其他类型GTO：
放大门极GTO
掩埋门极GTO
逆导GTO
MOS—GTO
光控GTO§6.2 特性与参数一、静态特性
1．阳极伏安特性*
减小温度影响，可在门极与阴极间并一个电阻定义：正向额定电压为90%VDRM反向额定电压为90%VRRM
毛刺电流2．通态压降特性
通态压降越小，通态损耗越小
3．安全工作区3．安全工作区
与GTR和功率MOSFET不同，门极加正触发信号时（正向
偏置），无安全工作区问题，只有瞬时浪涌电流的规定值。
当门极加负脉冲关断信号时（反向偏置），有安全工作区
问题。
定义：在一定条件下，GTO能可靠关断的阳极电流与阳极电
压的轨迹。与门极驱动电路和缓冲电路参数有关。二、动态特性
1．开通特性：
开通时间：ton = td + tr
由元件特性、门极电流上升率
diG/dt
及门极脉冲幅值大小决定。延迟时间上升时间diG/dt及门极脉冲幅值大小决定。
上升时间内，开通损耗较大；
阳极电压一定时，开通损耗随
阳极电流增大而增大。2．关断特性：
说明：
①存储时间ts内，GTO导通区不断
被压缩，但总电流几乎不变。
②下降时间tf对应阳极电流迅速下
降，阳极电压不断上升和门极反电
压开始建立的过程，此时GTO中心压开始建立的过程，此时GTO中心
结开始退出饱和，继续从门极抽出
载流子。关断损耗最大，瞬时功率
与尖峰电压VP有关，过大的瞬时功
耗会使GTO出现二次击穿现象。使
用中应尽量减小缓冲电路的杂散电
感，选择内感小的二极管和电容等
元件。③尾部时间tt是指从阳极电流降到极小值开始，到最终达到维
持电流为止的时间，这段时间内仍有残存的载流子被抽出，但
阳极电压已建立，因此容易由于过高的重加电压dv/dt使GTO关
断失效。应设计合适的缓冲电路。一般，尾部时间会随存储时
间内过大的门极反向电流上升率dIGR/dt
增大而延长。
④门极动态特性：门极负电压、负电流波形。
门极负电流的最大值随阳极可关断电流的增大而增大。门极负电流的最大值随阳极可关断电流的增大而增大。
门极负电流的增长速度与门极所加的负电压及门极参数有关。
如果门极电路中有较大的电感，会使门极-阴极结进
入雪崩状
态，阴极产生反向电流，雪崩时间tBR。应用中，防止雪崩电
流过大损坏门极-阴极，或不使门极-阴极产生雪崩现象，保证
门极反向电压不超过门极雪崩电压VGR。门极信号线要双绞线。三、主要参数
1．最大可关断阳极电流IATOGM
ATOII
1)(2
1
2?
+
=α
α
αGTO
阳极电流受温度和电流的双重影响，温度高、电流大
时，α1+
α2略大于1的条件可能被破坏，使器件饱和深度加深，
导致门极关断失效。I还和工作频率、再加电压、阳极电导致门极关断失效。IATO还和工作频率
、再加电压、阳极电
压上升率dv/dt、门极负电流的波形和电路参数变化有关。
2．关断增益βoff影响
IATO的因素都会影响βoff；一般，当门极负电流上升
率一定时，关断增益随可关断阳极电流的增加而增加；当可
关断阳极电流一定时，关断增益随门极负电流上升率的增加
而减小。3．阳极尖峰电压VPVP是在下降时间末尾出现的极值电压，随阳极关断电流线性
增加，过高会导致GTO失效。VP的产生是由缓冲电路中的引线电感、二极管正向恢复电压和电容中的电感造成的，减小VP应
尽量缩短缓冲电路的引线，采用快恢复二极管和无感电容。
4．dv/dt和di/dt
①dv/dt ：①dv/dt ：
静态dv/dt 指GTO阻断时所能承受的最大电压上升率，过高
会使GTO结电容流过较大的位移电流，使α增大，印发误导通。
结温和阳极电压越高，GTO承受静态dv/dt 能力越低；门极反偏
电压越高，静态dv/dt 耐量越高。（并联电阻）
动态dv/dt 也称重加dv/dt ，是GTO在关断过程中阳极电压的
上升率。重加dv/dt 会使瞬时关断损耗增大，也会导致GTO损坏。
（吸收回路）②di/dt：阳极电流上升率
GTO开通时，di/dt过大会导致阴极区电流局部集中或使开通
损耗增大，引起局部过热，而损坏GTO。（串联电感）
5．浪涌电流及I2t
值
与SCR类似，浪涌电流是指使结温不超过额定结温时的不重
复最大通态过载电流；一般为通态峰值电流的6倍。会引起器件
性能的变差。性能的变差。
I2t
值表示在持续时间不满10ms的区域内衡量正向非重复电
流的能力，是选定快速熔断器的依据。
6．断态不重复峰值电压
当器件阳极电压超过此值时，则不需要门极触发即转折导
通，断态不重复峰值电压随转折次数增大而下降。一般只有其
中个别几个GTO元首先转折，阳极电流集中，局部电流过高而
损坏。7．维持电流
GTO的维持电流指阳极电流减小到开始出现GTO元不能再维
持导通时的数值。因为若GTO在阳极电流纹波较大的情况下工
作时，当电流瞬时值到达最低时，因GTO元间电流分布不均匀，
以
及维持电流值的差异，其中部分GTO元因电流小于其维持电
流值而截止，则在阳极电流回复到较高值时，已截止的GTO元
不能再导电，于是导电的GTO元的电流密度增大，出现不正常
工作状态。工作状态。
8．擎住电流
GTO经门极触发后，阳极电流上升到保持所有GTO元导通的
最低值即擎住电流值。
擎住电流最大的GTO元影响最大。当门极电流脉冲宽度不足
时，门极脉冲电流下降沿越陡，GTO的擎住电流值将增大。9．开通时间：ton为滞后时间td和上升时间tr之和。随通态平均电流值的增大而增大1~2us
10．关断时间：toff为存储时间
ts与下降时间tf之和。随阳极电流增大而增大2us随阳极电流增大而增大2us可关断晶闸管的主要参数和电气特性:§6.3 GTO的缓冲电路一、缓冲电路的作用
GT0的缓冲电路除用来抑制换相过电压，限制dv/dt，
，，
，动态
均压之外，还关系到GTO的可靠开通和关断，尤其是GTO的关
断，一要依靠正确的门极负脉冲参数，二要依靠合理的缓冲电
路参数，两者缺一不可。
主要作用：主要作用：
（1）GTO关断时，在阳极电流下降阶段，抑制阳极电压VAK中
的尖蜂VP，以降低关断损耗，防止由此引起结温升高，
α增大给
关断带来困难。
（2）抑制阳极电压VAK的上升率
dv/dt ，以免关断失败。
（3）GTO开通时，缓冲电容通过电阻向GTO放电，有助于所有
GTO元达到擎住电流值，尤其是主电路为电感负载时。（4）引入缓冲电路可以提高GTO关断能力。二、缓冲电路的工作原理
如图：GTO直流斩波器电路阻尼电阻三、缓冲电路参数估算及安装工艺
（一）电路参数估算
1．缓冲电感LA：由
di/dt估算
2．缓冲电容CS：由
dv/dt估算dtdi
V
LE
A=dt
dv
I
CA
S=L3
．缓冲电阻RS：阻尼LA与CS形成谐振
GTO开关频率为f 时, 电阻功率：
4．阻尼电阻RA：选定阻尼系数时：
一般RA<RS，S
A
SC
L
R2≥S
A
AC
L
Rξ2
1
=（二）安装工艺及元件类型选择
1．缓冲电路必须尽量靠近GTO的阳极和阴极接线端安装，应最
大限度地缩短连接导线．一般不应超过10cm，以减小分布电
感和其他不良影响。
2．二极管VDS应选用快速导通和快速恢复二极管。
3．电阻R宜用无感电阻。3．电阻RS宜用无感电阻
。
4．CS宜用无感电容。5．RS工作时有一定温升，不应将
CS安装于RS上方受热。
6．缓冲电路所有元件必须可靠连接，切忌虚焊，以免工作时因
元件发热脱焊，意外的不可靠连接都将造成GTO损坏。§6.4 门极控制技术一、概述
可关断品闸管由门极正脉冲控制导通，负脉冲控制关断。
在工作机理上，开通时与SCR大致相似，关断时则完全
不同。
影响GTO导通的主要因素有；阳极电压、阳极电流、温度
和开通控制信号的波形。阳极电压越高，GTO越容易导通．阳
极电流较大时易于维持大面积饱和导通。温度低触发困难，温极电流较大时易于维持大面积饱和导通。温度低触发困难，温
度高容易触发。
影响GTO关断的主要因素有：被关断的阳极电流，负载阻
抗性质、温度、工作频率、缓冲电路和关断控制信号波形等。
阳极电流越大，关断越因难。电感性负载较难关断，结温越高
越难关断，结温过高甚至会出现关不断的现象。工作频率高关
断亦困难。对关断信号的波形更有特殊的要求。
GTO的门极控制技术关键在于关断。二、门极驱动特性
1．门极控制信号理想波形2．开通控制及波形要求：
门极开通控制电流信号的波形要求是：脉冲的前沿陡、幅
度高、宽度大、后沿缓。
脉冲前沿对结电容充电，前沿陡充电快，正向门极电流建
立迅速，有利于GTO的快速导通。一般取门极开通电流变化率
为dIGF/dt
为5—10A/us。
门极正脉冲幅度高可以实现强触发，一般该值比额定直流门极正脉冲幅度高可以实现强触发，一般该值比额定直流
触发电流大3~10倍，为快速开通甚至还可以提高该值。
门极触发电流的幅值不同，相应的开通时间亦不同。强触
发有利于缩短开通时间，减小开通损耗，降低管压降，适于低
温触发并易于GTO串并联运行。
触发电流脉冲的宽度用来保证阳极电流的可靠建立，一般
定为10~60us。后沿则应尽量缓一些，后沿过陡会产生振荡。3．关断控制及波形要求
对关断控制电流波形的要求是：前沿较陡、宽度足够、幅
度较高、后沿平缓。
脉冲前沿陡可缩短关断时间，减少关断损耗；但前沿过陡
会使关断增益降低。阳极尾部电流增加，对GTO产生不利的影
响。一般关断脉冲电流的上升率dIGR/dt取10～50A/us。
门极关断负电压脉冲必须具有足够的宽度，既要保证下降
时间tf内能继续抽出载流子，又要保证剩余载流子的复合有足
够的时间。特别是GTO关断过程中尾部时间过长时，必须用足
够的门极负电压脉冲宽度保证GTO可靠关断。
关断电流脉冲的幅度IGRM一般取为(1/3～1/5)IATO值，由关
断增益的大小来确定。在IATO一定的条件下，IGRM越大，关断时间越短，关断损耗越小；但是关断增益下降。若关断增益保持
不变，增加IGRM可提高GTO的阳极可关断能力。门极关断控制电压脉冲的后沿要尽量平缓一些。如果坡度
太陡，由于结电容效应，尽管门极电压是负的，也会产生一个
门极电流。这个正向门极电流有使GTO开通的可能。即使因为
这个
正向门极电流时间短或幅度小，不足以使GTO开通，也会
使刚刚关断的GT0耐压和阳极承受dv/dt的耐量降低，影响GTO
的正常工作。
三、门极控制电路
1．控制电路结构：２．供电方式及电路参数对门极控制的影响
①供电方式的影响：单电源供电方式单电源供电方式和双电源
供电方式用于300A以下
GTO的控制。
脉冲变压器方式用于300A双电源供电方式脉冲变压器方式300A
以上GTO控制。
双电源方式比单电源方式
可关断阳极电流要大；
门极负电源增加，可关断
阳极电流也增加。②电路参数的影响：
a.串并联电阻和电容的影响GTO门极回路中串联电阻，将阻碍门极电流的抽出。若电阻过大且门极
电压不高，会使门极电流过小，导致阳极电流的关断能力下降，甚至会出
现关不断的现象。一般，大功率GTO应用中该电阻只是毫欧数量级，有时根
本不串电阻并尽量缩短门极引线长度，以便减小门极电阻和不必要的引线
电感。
门极回路中并联电阻或电容，相当于外加短路发射极，可以提高GTO的
dv/dt耐量，增加热稳定性。并联电阻越小，电容越大，阳极电压的温度范
围越宽，热稳定性越好。b.串联电感的影响
门极串联微亨级小电感，可以限制门极电流上升率，提高
关断能力。由于电感的作用，在门极电流下降时，延长其作
用时间，等效加宽关断信号宽度。另外，电感产生的反向电
压可使门极处于短时间的雪崩状态，有利于载流子从门极抽
出，使可关断阳极电流增加。
串入电感，使GTO的存储时
间，下降时间和雪崩时间均加
长，关断增益提高，尾部电流
的起始值IT1减小。c. 门极反偏电压的影响
如上图，门极反偏电压越高，可关断阳极电流越大；阳极
dv/dt耐量越大，有利于GTO安全运行。
四、门极驱动型式：
1．直接驱动：门极驱动电路直接和GTO门极相连。
优点：输出电流脉冲的前沿陡度好，门极脉冲波形干净，优点：输出电流脉冲的前沿陡度好，门极脉冲波形干净，
易于消除寄生振荡和排除寄生振荡产生的门极瞬时过电流或
过电压。
缺点：由于直接驱动，驱动电路中的半导体开关器件必须
直接承担GTO的门极电流，故开关器件的电流比较大，由于
门—阴极间内阻小，尤其动态内阻更小，用晶体管驱动时，
晶体管很难饱和，因此，功耗大、效率低。
为了安全，驱动电路电源必须和控制系统电源隔离。2．间接驱动：间接驱动是驱动电路通过脉冲输出变压器与
GTO门极相连接。
优点：GTO主电路与门极控制电路之间有变压器做电隔离，
对控制系统来说较为安全。利用变压器可进行合理
的阻
抗配合，使驱动电路的脉冲功率放大器件电流
可以大幅度减小。可以大幅度减小。
缺点：输出变压器的漏感使输出电流脉冲前沿徒度受到限
制，输出变压器带来的寄生电感和电容易产生高频
寄生振荡，致使门极脉冲前后沿出现电压和电流寄
生振荡，有可能出现门极瞬时过电压或过电流，而
且造成GTO不能干净利落地开通和关断。五、门极控制电路实例：
直接驱动开通和关断的门极电路§6.５GTO的串并联GTO是目前耐压最高，电流容量最大约全控型电力半导体
器件，因而在高电压、大容量的应用领域如机车牵引，大容量
不停电电源、高压电机的供电与调速等应用中具有无可争辩的
优势。但是，随着整机设备电流容量和电压等级的不断提高，
GTO器件也必须串、并联使用。
一、GTO串联使用一、GTO串联使用
解决静、动态均压问题
静态采用均压电阻
动态采用均压电感二、GTO并联使用：主要解决器件间动态均流问题
由于GTO器件自身的特点，在并联使用中尚需注意：
(1)GTO具有最大阳极可关断电流，并联支路中不平衡电流
不能超过此值，否则有被损坏的危险。
(2)GTO内部为若干GTO元并联而成，因而对于开关损耗的
均衡分布有严格的要求，否则会产生局部过热，造成损坏。
为此，要求并联GTO的开关损耗也要均衡。为此，要求并联GTO的开关损耗也要均衡。
(3)GT0的可关断阳极电流、开通延迟时间以及存储时间等
参数与门极开通相关断脉冲密切相关，因而门极电路的参数
对并联使用有一定影响。
(4)GTO为快速大功率器件，电路结构、阴极引线电感和均
流电抗器漏电感等参数对并联使用均有影响。
一般常见：强迫均流法和直接并联法。§6.6GTO的过电流保护一、过电流的产生与过
电流特性
GTO主要应用于大容量的斩波器、逆变器及开关电路中，
其中最引入关注的问题是由于各种原因造成的短路过电流现象，
因为它严重地威胁着器件乃至整机设备的安全。为此，必须研
究过电流产生的原因以及如何在过电流情况下采取措施保护措
施。施。
1．过电流产生原因：过载和短路
过载电流可用反馈控制法进行保护。短路过电流原因有：
①逆变器的桥臂短路
②输出端线间短路（电机负载启动）
③输出端线对地短路2．过电流特性：
较SCR和GTR复杂，GTO的门极处于正向偏置时，GTO
开通，只有电流有效值，浪涌电流和I2t
的限制，没有安全工
作区的规定。门极处于反向偏置时，GTO处于关断过程，此
时有最大可关断阳极电流的限制，并有反向偏置安全工作区。
过电流保护可从两方面考虑；一是热保护，GTO
不能因GTO
为过载超过所规定的结温；二是电保护，超过最大可关断阳
极电流进行关断时，会因电流局部集中烧坏器件或根本关不
断。发生过电流时，希望过电流在未超过所允许的最大可关
断阳极电流时迅速撤除门极关断信号，利用浪捅能力进行保
护；或在未超过最大阳极可关断电流范围内使GTO迅速关断。二、状态识别过电流保护法：
1．通态压降识别法：
缺点：导通时若
GT0短路，通态压降升高将滞后于电流上升，这种延迟作用影
响保护动作的灵敏性。另外，GTO开通时的最初几微秒内，由于封锁了保护电路，
在这段时间内出现“保护盲区”，因此不能进行过电流保护。2．存储时间识别法：利用存储时间和阳极电流的关系，通
过测量存储时间判断过流。三、桥臂互锁保护法：
在桥式逆变电路中，同一桥臂上二个支路的两个GTO的驱
动信号必须是互锁的，以保证在任何情况下两个GTO不同时导
通。但是，如果一个GTO关断失效后，另一个GTO仍继续触发
导通，由此造成短路事故。为此可通过对GTO开关状态的识别
来实现GTO门极驱动的联锁。
GTO的开关状态识别方法之一是由门极电压与电流参数来GTO
确定。当门极负电压达到预定值，门极负电流的diGR/dt
由负变
正时，认为GTO阻断。
上述保护方法可以防止因桥臂误触发而产生的短路过电流，
但是在互锁作用以外的短路事故，如续流二极管击穿或损坏仍
会使桥臂短路，在这种情况下，必须采用熔断器或撬杠法进行
保护。
因此GTO整机的保护应该采用分级保护的方法。四、逆变器的过电流保护：
1．熔断器保护：２．撬杠保护法：
非熔断保护法，在中、大容量GTO电路中应用广泛。通过
传感器检测到滤波电容的放电电流信号，进行如下动作：(1)
触发并联晶间管VT，使GTO逆变器分流，VT串联一小电感，以便限
制VT的di/dt。
(2)封锁GTO的关断信号并触发所有GTO，使短路电流由所有GTO承担，
减少电流集中现象。
(3)交流侧断路器跳闸。3．自关断保护法：用于200A以下小容量GTO的逆变装置。
该逆变器的短路过电流
信号由直流互感器检出，与
设定电平进行比较，再经记
忆电路、控制电路的变换之
后，直接送门极控制电路，后，直接送门极控制电路，
发出全关断的脉冲信号，并
使所有GTO全部处于关断状
态，进而切断短路过电流。五、门极电路的过电流保护：
由于GTO损坏后，常常引起门极电路的损坏，因此应设
计门极保护环节。常用方法：
(1)在门极电路的输出端接一快速熔断器实现过电流保护，
以便使门极电路尽快与GTO门极端子断开；
(2)在
门极电路的输出端同时接一齐纳二极管，以使门极电
路嵌位在安全电压范围之内。路嵌位在安全电压范围之内。§6.7GTO的应用一、GTO逆变器变频调速系统
二、GTO斩波调速系统
三、快速响应、大容量GTO逆变器
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