专利名称：一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：彭逸轩,黄志仁,王亮棠,张荣芳,翁得期申请号：CN200910006077.9申请日：20051026公开号：CN101487114A公开日：20090722
摘要：本发明涉及一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法与设备，该制造方法的步骤包括：提供一基材；及施加一偏压给该基材并以一等离子体化学汽相沉积法沉积一多晶硅材料于该基材上，以通过该偏压的诱发使该多晶硅材料结晶为该多晶硅薄膜。本发明可于低温下获得较高品质的多晶硅薄膜器件，结晶率高且减少孕核层厚度，避免了破真空的污染。
申请人：财团法人工业技术研究院
地址：台湾省新竹县
国籍：CN
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
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