专利名称：一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法专利类型：发明专利
发明人：康香宁,李诚诚,陈志忠,焦飞,冯玉龙,詹景麟,于彤军,
沈波
申请号：CN201810257196.0申请日：20180327公开号：CN108493306A公开日：20180904
摘要：本发明提出了一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。本发明一方面可实现单颗LED芯片的高压高功率特性,另一方面避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，降低了对封装设备和工艺的要求。利用本发明可以大幅度提高微米LED的器件性能。对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。
申请人：北京大学
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：贾晓玲
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